CSD25304W1015 Fiche technique
Spécifications pour CSD25304W1015
Numéro d'article : CSD25304W1015
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Séries : NexFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.15V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 595pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 750mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 6-DSBGA
Paquet / caisse : 6-UFBGA, DSBGA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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