CSD25485F5T Fiche technique
Spécifications pour CSD25485F5T
Numéro d'article : CSD25485F5T
Fabricant : Texas Instruments
La description : CSD25485F5T
Séries : FemtoFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 900mA, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) : -12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 533pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.4W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 3-PICOSTAR
Paquet / caisse : 3-XFDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-CSD25485F5T
Fabricant
Brève description
CSD25485F5T
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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