CSD75207W15 Fiche technique
Spécifications pour CSD75207W15
Numéro d'article : CSD75207W15
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
Séries : NexFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : -
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 162 mOhm @ 1A, 1.8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.7nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 595pF @ 10V
Puissance - Max : 700mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 9-UFBGA, DSBGA
Package d'appareils du fournisseur : 9-DSBGA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-CSD75207W15
Fabricant
Brève description
MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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