CSD85301Q2 Fiche technique
Spécifications pour CSD85301Q2
Numéro d'article : CSD85301Q2
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Séries : NexFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate, 5V Drive
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5.4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 469pF @ 10V
Puissance - Max : 2.3W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-WDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : 6-WSON (2x2)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-CSD85301Q2
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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