CSD86311W1723 Fiche technique
Spécifications pour CSD86311W1723
Numéro d'article : CSD86311W1723
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Séries : NexFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 2A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 585pF @ 12.5V
Puissance - Max : 1.5W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 12-UFBGA, DSBGA
Package d'appareils du fournisseur : 12-DSBGA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
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quantité disponible
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