Spécifications pour CSD86350Q5D

Numéro d'article : CSD86350Q5D
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
Séries : NexFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 20A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10.7nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1870pF @ 12.5V
Puissance - Max : 13W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerLDFN
Package d'appareils du fournisseur : 8-LSON (5x6)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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