CSD87335Q3DT Fiche technique
Spécifications pour CSD87335Q3DT
Numéro d'article : CSD87335Q3DT
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET 2N-CH 30V 25A
Séries : NexFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.9V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1050pF @ 15V
Puissance - Max : 6W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerLDFN
Package d'appareils du fournisseur : 8-LSON (3.3x3.3)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-CSD87335Q3DT
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 25A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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