Spécifications pour CSD87503Q3E

Numéro d'article : CSD87503Q3E
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON
Séries : NexFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Common Source
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 17.4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1020pF @ 15V
Puissance - Max : 15.6W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur : 8-VSON (3.3x3.3)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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