CSD88599Q5DCT Fiche technique
Spécifications pour CSD88599Q5DCT
Numéro d'article : CSD88599Q5DCT
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP
Séries : NexFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4840pF @ 30V
Puissance - Max : 12W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 22-PowerTFDFN
Package d'appareils du fournisseur : 22-VSON-CLIP (5x6)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
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