DMJ70H1D3SH3 Fiche technique
Spécifications pour DMJ70H1D3SH3
Numéro d'article : DMJ70H1D3SH3
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 700V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 13.9nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 351pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 41W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-251
Paquet / caisse : TO-251-3 Stub Leads, IPak
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-DMJ70H1D3SH3
Fabricant
Brève description
MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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