DMN1029UFDB-13 Fiche technique
Spécifications pour DMN1029UFDB-13
Numéro d'article : DMN1029UFDB-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 19.6nC @ 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 914pF @ 6V
Puissance - Max : 1.4W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-UDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : U-DFN2020-6 (Type B)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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