DMN1053UCP4-7 Fiche technique
Spécifications pour DMN1053UCP4-7
Numéro d'article : DMN1053UCP4-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 908pF @ 6V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.34W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : X3-DSN0808-4
Paquet / caisse : 4-XFBGA, CSPBGA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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