DMN2005UPS-13 Fiche technique
Spécifications pour DMN2005UPS-13
Numéro d'article : DMN2005UPS-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 142nC @ 10V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5337pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.5W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerDI5060-8
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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