DMN2023UCB4-7 Fiche technique
Spécifications pour DMN2023UCB4-7
Numéro d'article : DMN2023UCB4-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 24V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 37nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3333pF @ 10V
Puissance - Max : 1.45W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 4-XFBGA, WLBGA
Package d'appareils du fournisseur : X1-WLB1818-4
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
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