Spécifications pour DMN63D1LV-7

Numéro d'article : DMN63D1LV-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.392nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 30pF @ 25V
Puissance - Max : 940mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur : SOT-563
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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