DMP1022UFDE-7 Fiche technique
Spécifications pour DMP1022UFDE-7
Numéro d'article : DMP1022UFDE-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 42.6nC @ 5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2953pF @ 4V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 660mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : U-DFN2020-6 (Type E)
Paquet / caisse : 6-UDFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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