DMP56D0UFB-7B Fiche technique
Spécifications pour DMP56D0UFB-7B
Numéro d'article :
DMP56D0UFB-7B
Fabricant :
Diodes Incorporated
La description :
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
50V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
0.58nC @ 4V
Vgs (Max) :
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
50.54pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
425mW (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paquet / caisse :
3-UFDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
4160200 Pièces
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