DMT3011LDT-7 Fiche technique
Spécifications pour DMT3011LDT-7
Numéro d'article : DMT3011LDT-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8A, 10.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 13.2nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 641pF @ 15V
Puissance - Max : 1.9W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 155°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-VDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : V-DFN3030-8 (Type K)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-DMT3011LDT-7
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
1157780 Pièces
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