DMTH10H010LCTB-13 Fiche technique
Spécifications pour DMTH10H010LCTB-13
Numéro d'article : DMTH10H010LCTB-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 108A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 53.7nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2592pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.4W (Ta), 166W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220AB
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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