DMTH10H015LK3-13 Fiche technique
Spécifications pour DMTH10H015LK3-13
Numéro d'article : DMTH10H015LK3-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET NCH 100V 52.5A TO252
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 52.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 33.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1871pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.1W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-252-4L
Paquet / caisse : TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET NCH 100V 52.5A TO252
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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