EFC6612R-A-TF Fiche technique
Spécifications pour EFC6612R-A-TF
Numéro d'article : EFC6612R-A-TF
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caractéristique FET : Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain à la tension source (Vdss) : -
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Puissance - Max : 2.5W
Température de fonctionnement : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-SMD, No Lead
Package d'appareils du fournisseur : 6-CSP (1.77x3.54)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
28574 Pièces
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