EM6K31GT2R Fiche technique
Spécifications pour EM6K31GT2R
Numéro d'article : EM6K31GT2R
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 15pF @ 25V
Puissance - Max : 120mW
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur : EMT6
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-EM6K31GT2R
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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