Spécifications pour EMF22T2R

Numéro d'article : EMF22T2R
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de transistor : 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 100mA, 500mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 50V, 12V
Résistance - Base (R1) : 10 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) : 10 kOhms
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 500nA
Fréquence - Transition : 250MHz, 320MHz
Puissance - Max : 150mW
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur : EMT6
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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Prix de référence
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