EMH3T2R Fiche technique
Spécifications pour EMH3T2R
Numéro d'article : EMH3T2R
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de transistor : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 50V
Résistance - Base (R1) : 4.7 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) : -
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure Collecteur (Max) : -
Fréquence - Transition : 250MHz
Puissance - Max : 150mW
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur : EMT6
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-EMH3T2R
Fabricant
Brève description
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
4595645 Pièces
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