EPC2100 Fiche technique
Spécifications pour EPC2100
Numéro d'article : EPC2100
Fabricant : EPC
La description : GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Séries : eGaN®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Puissance - Max : -
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : Die
Package d'appareils du fournisseur : Die
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-EPC2100
Fabricant
Brève description
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
99235 Pièces
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