EPC2103ENGRT Fiche technique
Spécifications pour EPC2103ENGRT
Numéro d'article : EPC2103ENGRT
Fabricant : EPC
La description : GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
Séries : eGaN®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) : 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 7mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7600pF @ 40V
Puissance - Max : -
Température de fonctionnement : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : Die
Package d'appareils du fournisseur : Die
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-EPC2103ENGRT
Fabricant
Brève description
GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
97310 Pièces
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