ES1J R3G Fiche technique
Spécifications pour ES1J R3G
Numéro d'article : ES1J R3G
Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation
La description : DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.7V @ 1A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 35ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 600V
Capacité @ Vr, F : 18pF @ 4V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : DO-214AC, SMA
Package d'appareils du fournisseur : DO-214AC (SMA)
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-ES1J R3G
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
4488445 Pièces
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