ES1LJ M2G Fiche technique
Spécifications pour ES1LJ M2G
Numéro d'article :
ES1LJ M2G
Fabricant :
Taiwan Semiconductor Corporation
La description :
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de diode :
Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) :
600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) :
1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si :
1.7V @ 1A
La vitesse :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) :
35ns
Courant - Fuite inverse @ Vr :
5µA @ 600V
Capacité @ Vr, F :
18pF @ 4V, 1MHz
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
DO-214AC, SMA
Package d'appareils du fournisseur :
DO-214AC (SMA)
Température de fonctionnement - Jonction :
-55°C ~ 150°C
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-ES1LJ M2G
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
6209920 Pièces
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