FDC3601N Fiche technique
Spécifications pour FDC3601N
Numéro d'article : FDC3601N
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
Séries : PowerTrench®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 153pF @ 50V
Puissance - Max : 700mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareils du fournisseur : SuperSOT™-6
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FDC3601N
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
1876885 Pièces
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