FDC642P-F085 Fiche technique
Spécifications pour FDC642P-F085
Numéro d'article : FDC642P-F085
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT
Séries : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 640pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.2W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SuperSOT™-6
Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FDC642P-F085
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
1996015 Pièces
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