FDG6321C-F169 Fiche technique
Spécifications pour FDG6321C-F169
Numéro d'article : FDG6321C-F169
Fabricant : ON Semiconductor
La description : INTEGRATED CIRCUIT
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 500mA (Ta), 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 10V, 62pF @ 10V
Puissance - Max : 300mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur : SC-88/SC70-6/SOT-363
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
INTEGRATED CIRCUIT
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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