FDT3N40TF Fiche technique
Spécifications pour FDT3N40TF
Numéro d'article : FDT3N40TF
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223
Séries : UniFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 400V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 225pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-223-4
Paquet / caisse : TO-261-4, TO-261AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FDT3N40TF
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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