Spécifications pour FGD3N60UNDF

Numéro d'article : FGD3N60UNDF
Fabricant : ON Semiconductor
La description : IGBT 600V 6A 60W DPAK
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type IGBT : NPT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 6A
Courant - collecteur pulsé (Icm) : 9A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.52V @ 15V, 3A
Puissance - Max : 60W
Énergie de commutation : 52µJ (on), 30µJ (off)
Type d'entrée : Standard
Charge de la porte : 1.6nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C : 5.5ns/22ns
Condition de test : 400V, 3A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) : 21ns
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareils du fournisseur : TO-252, (D-Pak)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IGBT 600V 6A 60W DPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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