FJV3111RMTF Fiche technique
Spécifications pour FJV3111RMTF
Numéro d'article : FJV3111RMTF
Fabricant : ON Semiconductor
La description : TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de transistor : NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 40V
Résistance - Base (R1) : 22 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) : -
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 1mA, 10mA
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 100nA (ICBO)
Fréquence - Transition : 250MHz
Puissance - Max : 200mW
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3 (TO-236)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FJV3111RMTF
Fabricant
Brève description
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
21973 Pièces
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