FQD7N10LTF Fiche technique
Spécifications pour FQD7N10LTF
Numéro d'article : FQD7N10LTF
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Séries : QFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D-Pak
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FQD7N10LTF
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
69740 Pièces
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