Spécifications pour FQPF19N10L

Numéro d'article : FQPF19N10L
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F
Séries : QFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 13.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 870pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 38W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220F
Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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