FQPF6P25 Fiche technique
Spécifications pour FQPF6P25
Numéro d'article : FQPF6P25
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET P-CH 250V 4.2A TO-220F
Séries : QFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 780pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 45W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220F
Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FQPF6P25
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 250V 4.2A TO-220F
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
70245 Pièces
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