Spécifications pour GA01PNS80-220

Numéro d'article : GA01PNS80-220
Fabricant : GeneSiC Semiconductor
La description : RF DIODE PIN 8000V
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : PIN - Single
Tension - Inverse de crête (Max) : 8000V
Courant - Max : 2A
Capacité @ Vr, F : 4pF @ 1000V, 1MHz
Résistance @ Si, F : -
Dissipation de puissance (max) : -
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquet / caisse : Axial
Package d'appareils du fournisseur : -
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
RF DIODE PIN 8000V
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
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