GA08JT17-247 Fiche technique
Spécifications pour GA08JT17-247
Numéro d'article : GA08JT17-247
Fabricant : GeneSiC Semiconductor
La description : TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : -
La technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension source (Vdss) : 1700V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8A (Tc) (90°C)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 8A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 48W (Tc)
Température de fonctionnement : 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-247AB
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-GA08JT17-247
Fabricant
Brève description
TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
12992 Pièces
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