GA20JT12-263 Fiche technique
Spécifications pour GA20JT12-263
Numéro d'article : GA20JT12-263
Fabricant : GeneSiC Semiconductor
La description : TRANS SJT 1200V 45A
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : -
La technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension source (Vdss) : 1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 45A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 20A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3091pF @ 800V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 282W (Tc)
Température de fonctionnement : 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D2PAK (7-Lead)
Paquet / caisse : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-GA20JT12-263
Fabricant
Brève description
TRANS SJT 1200V 45A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
20408 Pièces
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