GA50JT12-263 Fiche technique
Spécifications pour GA50JT12-263
Numéro d'article : GA50JT12-263
Fabricant : GeneSiC Semiconductor
La description : TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
Séries : *
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : -
La technologie : -
Drain à la tension source (Vdss) : -
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : -
Température de fonctionnement : -
Type de montage : -
Package d'appareils du fournisseur : -
Paquet / caisse : -
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-GA50JT12-263
Fabricant
Brève description
TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
21896 Pièces
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