Spécifications pour H11G1W

Numéro d'article : H11G1W
Fabricant : ON Semiconductor
La description : OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Nombre de canaux : 1
Tension - Isolement : 5300Vrms
Ratio de transfert actuel (min) : 1000% @ 10mA
Ratio de transfert actuel (max) : -
Activer / Désactiver le temps (Typ) : 5µs, 100µs
Temps de montée / descente (type) : -
Type d'entrée : DC
Le type de sortie : Darlington with Base
Tension - Sortie (Max) : 100V
Courant - Sortie / Canal : -
Tension - Forward (Vf) (Typ) : 1.3V
Courant - DC Forward (Si) (Max) : 60mA
Vce Saturation (Max) : 1V
Température de fonctionnement : -55°C ~ 100°C
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : 6-DIP (0.400", 10.16mm)
Package d'appareils du fournisseur : 6-DIP
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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