HN2D01JE(TE85L,F) Fiche technique
Spécifications pour HN2D01JE(TE85L,F)
Numéro d'article : HN2D01JE(TE85L,F)
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Configuration de la diode : 2 Independent
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 80V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) : 100mA
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.2V @ 100mA
La vitesse : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de récupération inverse (trr) : 1.6ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 500nA @ 80V
Température de fonctionnement - Jonction : 150°C (Max)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-553
Package d'appareils du fournisseur : ESV
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
5301660 Pièces
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