HS54095TZ-E Fiche technique
Spécifications pour HS54095TZ-E
Numéro d'article : HS54095TZ-E
Fabricant : Renesas Electronics America
La description : MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92
Séries : -
Statut de la pièce : Last Time Buy
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 66pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 750mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-92-3
Paquet / caisse : TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-HS54095TZ-E
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
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