HTNFET-T Fiche technique
Spécifications pour HTNFET-T
Numéro d'article : HTNFET-T
Fabricant : Honeywell Aerospace
La description : MOSFET N-CH 55V 4-PIN
Séries : HTMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.3nC @ 5V
Vgs (Max) : 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 28V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 50W (Tj)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 225°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : 4-Power Tab
Paquet / caisse : 4-SIP
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-HTNFET-T
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 55V 4-PIN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
9134 Pièces
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