HUF76407D3 Fiche technique
Spécifications pour HUF76407D3
Numéro d'article : HUF76407D3
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Séries : UltraFET™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 92 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 11.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 38W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : I-PAK
Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-HUF76407D3
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
69945 Pièces
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