HUFA76413DK8T-F085 Fiche technique
Spécifications pour HUFA76413DK8T-F085
Numéro d'article : HUFA76413DK8T-F085
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
Séries : Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 49 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 620pF @ 25V
Puissance - Max : 2.5W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
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