IPB081N06L3GATMA1 Fiche technique
Spécifications pour IPB081N06L3GATMA1
Numéro d'article : IPB081N06L3GATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 34µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4900pF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 79W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D²PAK (TO-263AB)
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
629065 Pièces
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