IPB120N04S401ATMA1 Fiche technique
Spécifications pour IPB120N04S401ATMA1
Numéro d'article : IPB120N04S401ATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 140µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 176nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 14000pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 188W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D²PAK (TO-263AB)
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
358915 Pièces
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