IPB180N10S402ATMA1 Fiche technique
Spécifications pour IPB180N10S402ATMA1
Numéro d'article : IPB180N10S402ATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH TO263-7
Séries : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 180A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 275µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 14600pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 300W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO263-7-3
Paquet / caisse : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH TO263-7
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
142325 Pièces
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